Zwei Personen in Reinraumkleidung stehen vor einem Gerät, das wie ein großer Metallschrank aussieht.

EUV-Lösungen

EUV-Resist-Qualifizierung

zwei Menschen in Reinraumkleidung stehen vor dem Bedienfeld einer Apparatur, die aussieht wie in großer Schrank aus Metall.

EUV-Lösungen

EUV-Resist-Qualifizierung

Qualifizierung von EUV-Fotolacken

Wir bieten verschiedene Lösungen für die Qualifizierung von EUV-Fotolacken (Resists) an. Unser offenes Belichtungssystem EUV-TEUVL ermöglicht die grundlegende Qualifizierung von Resists, um über Kontrastkurven die erforderliche Dosis für den Druckprozess zu ermitteln. Unser Interferenzlithografie-System bietet eine einfach zu bedienende Lösung zur Strukturierung, mit der sich die Druckleistung unter realistischen Bedingungen im Labor ermitteln lässt. 

EUV-LET

Das EUV Laboratory Exposure Tool (EUV-LET) ist unsere führende Lösung für die Strukturierung von Halfpitch-Größen unter 30 nm auf Resists im Labor mit EUV-Strahlung auf Basis von Interferenzlithografie. Das EUV-LET wurde in Zusammenarbeit mit unseren Forschungspartnern an der RWTH Aachen und am Fraunhofer ILT entwickelt.  
Das EUV-LET ermöglicht die Resistcharakterisierung mit einer Dosisregelung im geschlossenen Regelkreis und kann großflächige Muster (Einzelbelichtungsfelder von mehr als 1 mm²) mit geringer Defektdichte in weniger als 30 Sekunden Belichtungszeit pro Feld (bei 10 mJ/cm²) belichten. Die für den Druck verschiedener Strukturtypen und -größen erforderlichen Transmissionsmasken können nach Spezifikation geliefert werden. 

Teaser-Bild vom EUV-LET im Labor
EUV-Labor-Interferenzbelichtungsgerät (EUV-LET) in Forschungskonfiguration zur Prozessentwicklung und zur Erforschung von Grenzen
Schematische Darstellung der achromatischen Talbot-Lithografie. Hervorgehoben ist das stationäre Interferenzmuster innerhalb eines Abstandsfensters.
Mit EUV-LET hergestellte Strukturen mit einem Halbpitch von 35 nm und 28 nm (Weltrekord für eigenständige Laboranlagen)

EUV-TEUVL

Die TEUVL-Systeme bieten eine direkte und kostengünstige Lösung für die hauseigene Charakterisierung von aktinischen EUV-Resists. Durch den Einsatz unserer EUV-Lampe mittlerer Leistung mit einer Standardleistung von 500 mW/(2 psr) bei einer Bandbreite von 2 % um 13,5 nm lassen sich innerhalb weniger Minuten etwa 10 mJ/cm² akkumulieren. Die EUV-LAMP bietet eine Lebensdauer von etwa 1.000 Stunden und lässt sich durch einfachen Austausch des Lichtkopfes und unkomplizierte Wartung leicht instandhalten. Das Standardgerät ist vollständig reinraumtauglich ausgelegt und lässt sich einfach über ein Bedien-Touchpanel bedienen, wobei die Prozesskammer als Ladeschleuse zum Einlegen des Fotolacks mit der beschichteten Seite nach unten dient. Eine 1:1-Strukturierungsoption für einen Pitch von < 100 nm kann bei EUV-Masken in Kontakt mit dem Fotolack angewendet werden.

Eigenständige EUV-TEUVL-Anlage
Typische dosissteuerte Belichtung von Fotolack mit Graustufen und Belichtungsfeldern von 5 mm Durchmesser
Mit TEUVL ermittelte Dosis-Kontrast-Kurve

Literatur zum Thema EUV-LET

  • S. Brose, S. Danylyuk, J. Tempeler, H. Kim, P. Loosen, L. Juschkin, Enabling laboratory EUV research with a compact exposure tool, Proc. SPIE 9776; 97760R (2016) 
    DOI: 10.1117/12.2219164
  • S. Brose, S. Danylyuk, L. Bahrenberg, R. Lebert, J. Stollenwerk, P. Loosen, L. Juschkin, EUV-LET 2.0 : a compact exposure tool for industrial research at a wavelength of 13.5nm, Proc. SPIE 10957; 109571K (2019)
    DOI: 10.1117/12.2513755
  • R. Lebert, T. Missalla, C. Phiesel, C. Piel, S. Brose, S. Danylyuk, P. Loosen, K. Bergmann, and J. Vieker, Actinic tools for EUV resist characterization in research and production, Proc. SPIE 10809, 108091V (3 October 2018);
    DOI: 10.1117/12.2501800

Literatur zu EUV-TEUVL

  • US7378666, W. Domke, L. Juschkin, Karl Kragler, R. Lebert, M. Meisen, Irradiation device for testing objects coated with light-sensitive paint
  • R. Lebert, L. Juschkin, B. Jägle, M. Meisen, V. Berman, U. Bieberle, Inband-EUV Open Frame Resist Exposer TEUVL, Sematech2nd International EUV Symposium, 30.9.2003, Antwerp, Belgium, Vol. 1, p. 308-332 ISBN: 978-1-60423-679
Porträt von Fatih Kara

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