EUV-Lösungen
EUV-Resist-Qualifizierung
EUV-Lösungen
EUV-Resist-Qualifizierung
Wir bieten verschiedene Lösungen für die Qualifizierung von EUV-Fotolacken (Resists) an. Unser offenes Belichtungssystem EUV-TEUVL ermöglicht die grundlegende Qualifizierung von Resists, um über Kontrastkurven die erforderliche Dosis für den Druckprozess zu ermitteln. Unser Interferenzlithografie-System bietet eine einfach zu bedienende Lösung zur Strukturierung, mit der sich die Druckleistung unter realistischen Bedingungen im Labor ermitteln lässt.
Das EUV Laboratory Exposure Tool (EUV-LET) ist unsere führende Lösung für die Strukturierung von Halfpitch-Größen unter 30 nm auf Resists im Labor mit EUV-Strahlung auf Basis von Interferenzlithografie. Das EUV-LET wurde in Zusammenarbeit mit unseren Forschungspartnern an der RWTH Aachen und am Fraunhofer ILT entwickelt.
Das EUV-LET ermöglicht die Resistcharakterisierung mit einer Dosisregelung im geschlossenen Regelkreis und kann großflächige Muster (Einzelbelichtungsfelder von mehr als 1 mm²) mit geringer Defektdichte in weniger als 30 Sekunden Belichtungszeit pro Feld (bei 10 mJ/cm²) belichten. Die für den Druck verschiedener Strukturtypen und -größen erforderlichen Transmissionsmasken können nach Spezifikation geliefert werden.



Die TEUVL-Systeme bieten eine direkte und kostengünstige Lösung für die hauseigene Charakterisierung von aktinischen EUV-Resists. Durch den Einsatz unserer EUV-Lampe mittlerer Leistung mit einer Standardleistung von 500 mW/(2 psr) bei einer Bandbreite von 2 % um 13,5 nm lassen sich innerhalb weniger Minuten etwa 10 mJ/cm² akkumulieren. Die EUV-LAMP bietet eine Lebensdauer von etwa 1.000 Stunden und lässt sich durch einfachen Austausch des Lichtkopfes und unkomplizierte Wartung leicht instandhalten. Das Standardgerät ist vollständig reinraumtauglich ausgelegt und lässt sich einfach über ein Bedien-Touchpanel bedienen, wobei die Prozesskammer als Ladeschleuse zum Einlegen des Fotolacks mit der beschichteten Seite nach unten dient. Eine 1:1-Strukturierungsoption für einen Pitch von < 100 nm kann bei EUV-Masken in Kontakt mit dem Fotolack angewendet werden.




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