EUV-Lösungen
Inspektion von Fotomasken
und Rohlingen
EUV-Lösungen
Inspektion von Fotomasken
und Rohlingen
Lösungen für Fotomasken
Unsere Reflektometersysteme sind für die spektrale und räumliche Charakterisierung von Mehrschichtstrukturen, Maskenrohlingen und Masken ausgelegt. Die vollständige spektrale Charakterisierung lässt sich mit hoher räumlicher Auflösung und fester Wellenlänge kombinieren und liefert so aussagekräftige Informationen zur Reflexionshomogenität über den gesamten Rohling hinweg. Bei Masken kann die Scatterometrie integriert werden, um die Beugungseffizienz und CD-Informationen zu ermitteln. Unsere Systeme können für die Verarbeitung von 12-Zoll-Masken ausgelegt werden und liefern wertvolle Informationen für die Entwicklung der nächsten Technologieknoten.
EUV-MBR
Die EUV-Maskenrohling-Reflektometer (EUV-MBRs) sind eigenständige Geräte zur automatisierten Qualifizierung von Mehrschichtbeschichtungen und Absorbern auf EUV-Masken und Maskenrohlingen. Sie sind für die Messung von Reflexionseigenschaften ausgelegt, z. B. Spitzenreflexion, zentrale Wellenlängen, Halbwertsbreite sowie deren Homogenität und Genauigkeit. Die Maskenhandhabung erfolgt kundenspezifisch mit einer halbmanuellen Ladekammer oder über RSP-200-Ladeanschlüsse.
Eigenständige EUV-MBR-Anlage
Mit unserem firmeneigenen „Triple-Spectra“-Polychromatik-Konzept werden Spektralreflexionskurven mit 2000 Spektralkanälen und Dl=1,7 pm parallel in einer Belichtungszeit von weniger als 5 Sekunden gemessen.
Das RI-Konzept „Triple Spectra Polychromatic“
EUV-AIMER
Die von RI entwickelte „Actinic Inband Mapping EUV Reflectometry“ (AIMER™) misst die effektive Struktur einer Probe, „wie sie vom Scanner gesehen wird“. Im EUVL-Scanner beträgt die Bandbreite der spektralen Verteilung der Waferbelichtung etwa 2 %, zentriert auf die zentrale Wellenlänge von 13,52 nm. Daher trägt die gesamte auf die Maske einfallende Strahlung zur Gesamtdosis auf dem Wafer bei, gewichtet mit der effektiven spektralen Übertragungseffizienz P(λ) für die Waferbelichtung, wobei das Integral von P(λ) gleich Eins ist:
Um eine spektralabhängige Eigenschaft eines Elements hinsichtlich seiner Leistung beim Einsatz im Scanner zu bewerten, ist nur der mit P(λ) gewichtete relevante Beitrag von Bedeutung.
Dieses Konzept liefert beispielsweise die effektive Reflexion Reff einer Maske oder eines Maskenrohlings:
Die effektive Reflexion Reff ist empfindlich gegenüber Rmax, CWL50 und FWHM und wird in einem einfachen, schnellen Rechenvorgang ermittelt, anstatt aus der spektralen Reflexionsmessung R(λ) extrapoliert zu werden.
Die mit dem EUV-MBR-Test erstellte AIMER-Karte liefert vollständige Daten zur Maskenrohplatte, die in weniger als 30 Minuten Belichtungszeit aufgezeichnet werden.
Die grundlegende Verteilung lässt sich durch 5×5-Messungen am ALS bestätigen, bei denen die CWL als Hauptfaktor ermittelt wurde.
Literatur zum Thema EUV-MBR
- R. Lebert et. al., High-throughput EUV reflectometer for EUV mask blanks, Proc. SPIE 5374 (2004)
DOI: 10.1117/12.537012 - A. Farahzadi et. al., The task of EUV reflectometry for HVM of EUV masks: first steps, Proc. SPIE 7470 (2009)
DOI: 10.1117/12.835176 - H. Seitz et. al., Production challenges of making EUV mask blanks, Proc. SPIE 5835 (16 June 2005)
DOI: 10.1117/12.637335 - C. Wies et. al., High speed reflectometer for EUV mask-blanks, Proc. SPIE 5835; 252; (2005)
DOI: 10.1117/12.637341
Literatur zu EUV-AIMER
A. Biermanns-Föth, C. Phiesel, T. Missalla, J. Arps, C. Piel, and R. Lebert,, Proc. SPIE 10809, International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2018, 108091I (3 October 2018);
DOI: 10.1117/12.2501794A. Biermanns-Föth, C. Phiesel, T. Missalla, J. Arps, C. Piel, and R. Lebert,, Proc. SPIE 10957, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography X, 109571G (26 March 2019);
DOI: 10.1117/12.2515336
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